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HBF新标准落地,AI存储架构革新,半导体特气需求迎来新机遇

2026年08月06日 行业动态

当地时间8月4日,SK海力士在闪存峰会FMS 2026开幕日宣布,联手闪迪共同发布下一代存储技术——高带宽闪存(HBF,High Bandwidth Flash)首个标准规范。HBF定位为介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级,既具备与HBM类似的高速数据传输能力(覆盖0.4TB/s至3.0TB/s三个等级),又可基于NAND闪存大幅提升容量(最高支持512GB/8层或16层NAND堆叠)。该规范是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作、今年2月成立联盟后,历时约6个月推出的首项成果。HBF的核心价值在于解决AI推理场景下的"内存墙"矛盾——AI推理对存储容量的需求远超AI训练,但HBM的容量受限于堆叠层数和成本,传统SSD的带宽又无法满足实时推理需求。HBF以NAND闪存为基底,通过并行通道架构实现接近HBM的带宽+接近SSD的容量,是AI存储架构从"两极分化"走向"三级覆盖"的标志性事件。SK海力士DRAM市占率39.5%(Q2)、HBM市占率58%(Q1)的既得优势将在HBF标准制定中获得先发话语权。


文章来源:https://www.dramx.com/News/Memory/20260804-40897.html